应用领域：
IGBT/FRD/MOS/SBD等晶圆正背面金属化晶圆级先进封装UBM金属化

晶圆尺寸：
100-300mm(50~150um Taiko wafer , Normal 750um wafer)

设备配置 ：

全面支持SECS/GEM通讯协议;

自动化、智能化镍，钯，金槽在线分析添加系统;

自动配液，补液，换酸;

温度，流量，浓度，压力，可控可调;

支持模块化维护，提高设备正常运行时间；

软件具备倒车功能，槽位可以任意选择组合；

设备工艺槽具有特殊的流场分布设计，有效改善镀层均匀性；

设备自动化操作，干进干出；

可提供设备与药水、工艺整体解决方案。

膜层厚度：
Ni/3±0.3um   Pd/0.3±0.03um   Au/0.05±0.005um

工艺指标：
WIW:U%<10%
WTW:U%<10%

应用领域：
先进封装TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump、大马士革电镀等工艺

晶圆尺寸：
100-300mm（片度：200um-750um)

设备配置：

全面支持SECS/GEM通讯协议;

电镀：Cu、Ni、Sn/Ag、Au；

支持3个loadport；

支持扩展16个电镀腔体；

支持扩展4个预湿腔体，4个清洗腔体；

特殊的消泡机构，消除镀液气泡；

系统配备双System controller，无宕机风险;

支持电镀腔内搅拌功能，频率可调;

配备进口高精度直流脉冲电源;

支持模块化维护，提高设备正常运行时间；

阴阳极分离技术，更佳镀液稳定性。

工艺指标：
电镀均一性：
WiWNU≤3%；
WtWNU≤3%；

应用领域：
TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump等工艺

产品尺寸：
晶圆 2寸-12寸/高密度基板 2寸-20寸

设备配置：

全面支持SECS/GEM通讯协议；

电镀：Cu、Ni、Sn/Ag、Au；

可支持单双面电镀，也可以同时多片电镀；

支持模块化维护，提高设备正常运行时间；

温度，流量，浓度，压力，可控可调；

可以为各科研单位定制研发类定制机台；

可选多loadport，根据产能配备；

可提供设备与药水、工艺整体解决方案；

设备自动化操作，干进干出。

工艺指标：

电镀均一性：WiW≤8%；
WtW≤8%

设备特点：

叠堆设计最高可配置12个腔室

上下层传送系统提供多达350wph的吞吐量

可配置可正背面清洗，药液种类多达5种，可回收2种药液

腔体可配备二流体雾化喷嘴

腔室可将化学飞溅降至最低，确保腔体清洁晶圆加工环境

腔体超洁净空气动态平衡均一性好

应用领域：
半导体行业，前道工艺制成（IC集成电路）、后道先进封装，衬底材料（硅片、碳化硅、氮化镓等化合物）。

晶圆尺寸：300mm

设备配置：

先进运输系统和专有算法的开发Throughput：400WPH；

配有氮气雾化二流体清洗 ；

采用防静电管路，可调CO2 Generator电阻率；

配有定制的软刷清洗扫描到边缘刷洗；

晶圆翻转功能可进行背面与正面清洗；

配置8套刷片清洗腔体，2套翻转机构。

设备特点：

可适用于8寸或12寸晶圆清洗

配有可设置温度氮气干燥

多种药液高精度流量控制，温度控制

可进行药液回收，增加药液利用率

最多可配置8套清洗腔体

可配置多种药液氢氟酸，臭氧水等

应用领域：
半导体行业，前道工艺制成（IC集成电路）、后道先进封装，衬底材料（硅片、碳化硅、氮化镓等化合物）。

晶圆尺寸：
150mm-300mm

设备配置：

配有槽式浸泡和单片旋转喷淋结合，提高生产效率，降低生产成本；

高压或二流体喷淋可彻底除去光刻胶；

配去胶液回收、循环过滤再使用，降低用户成本，贵重金属回收；

基片干进湿传干出，机械手下方湿出浸泡槽，有漏液盘；

可针对药液循环过滤、起泡、残渣等定制设计，解决工艺制程问题；

可客制相应配置，混酸及供酸设备，支持多样化制程

应用领域：
半导体行业，前道工艺制成（IC集成电路）、后道先进封装，衬底材料（硅片、碳化硅、氮化镓等化合物），还适用于玻璃基板、陶瓷板等领域。

应用方式：
Cassette-type & Cassetteless-type

晶圆尺寸：
100mm-300mm

设备配置：

全面支持SECS/GEM通讯协议;

设备自动化操作，干进干出（Marangoni dry 或 spin dry;）

配备自动消防安全系统;

自动配液，补液，换酸;

温度，流量，浓度，压力，可控可调;

可选多loadport，根据产能配备;

全工艺段监控及传感器安全互锁;

全程在线技术支持。

主要品牌：
主要parts选用国外一线品牌（Rochling、KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON）

应用领域：
半导体行业，前道工艺制成（IC集成电路）、后道先进封装，衬底材料（硅片、碳化硅、氮化镓等化合物），还适用于玻璃基板等领域。

应用方式：
Cassette-type & Cassetteless-type

晶圆尺寸：
100mm-300mm

设备配置：

全面支持SECS/GEM通讯协议；

设备自动化操作，干进干出（Marangoni dry 或spin dry;）

配备自动消防安全系统；

自动配液，补液，换酸；

温度，流量，浓度，压力，可控可调；

可选多loadport，根据产能配备；

全工艺段监控及传感器安全互锁；

全程在线技术支持。

主要品牌：
主要parts选用国外一线品牌（KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON）

设备特点：

Mattson原厂授权生产新机

宽温度范围(100°C to 250°C)

单片机控制的双晶圆片加工，工艺均匀性好

真空负载锁隔离工艺室，以减少缺陷

同时处理多晶圆片的高速机器人-高通量(> 130 wph)

在小于200mm的带材产品中，具有最高吞吐量/平方占地面积的小占地面积

与微波源带材产品相比，耗材成本更低

VTM传输，更好的保证设备particle要求

单腔或双腔工艺选择，单腔可同时工艺两片

可支持4至8英寸晶圆

技术参数：

strip rate:  >5.6um/min

uniformity within wafer(descum): <5%

uniformity within wafer(strip): <5%

uniformity wafer to wafer(strip):  <5%

uniformity run to run(strip):  <5%

uptime:  >90%

1min process time(WPH):  160

particle（>0.3um）:  <50ea

设备特点：

适用于4至8英寸硅基或化合物的匀胶显影工艺

最大设备配置:4套匀胶/显影、10套热(冷)板单元,1套HMDS单元

根据客户工艺需求可加装涂胶温湿度控制

可兼容4+6寸或6+8寸晶圆尺寸

整机适合产能要求较高的批量产线

可选配MES协议转换模块

 
技术参数：

旋转速度范围: 20-5000rpm

加速度范围: 20-20000rpm/s

转速精度: 土1rpm

热盘温度范围: 50°C-260°C

热盘温度均匀性: 士1%或更高

冷盘温度范围: 20°C-25°C

冷盘温度均匀性: 土0.2C

光刻胶粘度: 0-1000Cp(可选高粘度)

胶泵类型: 气动或电动胶泵

光刻胶或显影液管路: <=3路

流量监控: 浮子式流量计(可选配超声流量计)

应用领域：

适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体。

PFCs气体：CF4, SF6, NF3 等

腐蚀性气体：Cl2, F2, BCl3, HBr 等

可燃性气体：SiH4, TEOS, DCS, H2 等

使用制程：

Dry etch/Thin Film/Implant

优点：

等离子火炬可释放超过3000℃的高温，更高效的处理易燃气体、有毒气体和 PFCs气体。

尤其是对PFCs气体的处理能力。

经过特殊设计的水淋系统，水溶性废气处理时并且不产生水雾。

应用领域：

适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体。

PFCs气体：CF4, SF6, NF3 等

腐蚀性气体：Cl2, F2, BCl3, HBr 等

可燃性气体：SiH4, TEOS, DCS, H2 等

使用制程：

Dry etch/Thin Film/Implant

优点：

装维护便捷,PM时间短。

尾气入口管可为KF50,避免粉尘附着，延长PM周期。

独特的内部结构设计，经济C.O.O与C.O.C，使用成本低。

可选节水型号,水循环使用，拥有极低的耗水量。

在各种制成上采用高效的高温燃烧器，可有效选择高低功率，降低运行费用。

应用领域：

用吸附剂和吸附介质处理半导体或化合物制程气体

注入气体(AsH3, PH3, BF3 等)

腐蚀性气体(F2, Cl2, BCl3, HBr 等)

使用制程：

Dry etch/Implant/MOCVD(AsH3)/PLD(SiC)

原理：

通过G-FLYING CLEANSORB的化学吸附颗粒进行气体处理。

吸收塔内装置的基本成分为G-FLYING CLEANSORB化学吸附颗粒。

吸附过程通过化学转换(化学吸附)方式形成稳定盐分分离有害的工艺气体(反应在室温下进行)，过程中无需外部加热、加湿或其它功能设施。

气体和吸收剂的化学吸收反应是不可逆的,确保危险气体保持固体形态。

产品特点：

高效节能：采用先进的结构设计及控制技术，可以大大降低能耗，节约运营成本。

稳定可靠：采用优质的材料和零部件，经过严格的测试和检验，可以长时间稳定运行，保证生产效率和质量。

操作简便：采用智能控制系统，操作简便，可以根据需要自动调节温度和制冷量，操作方便快捷。

产品能力范围：

温度范围：-70℃~250℃

控温精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

适用范围：Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备

产品特点：

高效节能：采用先进的结构设计及控制技术，可以大大降低能耗，节约运营成本。

稳定可靠：采用优质的材料和零部件，经过严格的测试和检验，可以长时间稳定运行，保证生产效率和质量。

操作简便：采用智能控制系统，操作简便，可以根据需要自动调节温度和制冷量，操作方便快捷。

产品能力范围：

温度范围：-70℃~250℃

控温精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

适用范围：Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备

产品特点：

高效节能：采用先进的结构设计及控制技术，可以大大降低能耗，节约运营成本。

稳定可靠：采用优质的材料和零部件，经过严格的测试和检验，可以长时间稳定运行，保证生产效率和质量。

操作简便：采用智能控制系统，操作简便，可以根据需要自动调节温度和制冷量，操作方便快捷。

产品能力范围：

温度范围：-70℃~250℃

控温精度： ±0.01℃~±0.1℃

制冷功率：200W~200kW

适用范围：Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备