湿化学工艺设备

吉姆西坚持走科技兴企之路,不断引进先进技术和高端技术人才,内涵加外延式
双管齐下提升科研水平,逐步形成了一系列的国产化新产品。

  • 化学镍钯金设备
    WET-全自动化学镍钯金设备(GMC-ENEPIG-300)
    应用领域:
    IGBT/FRD/MOS/SBD等晶圆正背面金属化晶圆级先进封装UBM金属化

    晶圆尺寸:
    100-300mm(50~150um Taiko wafer , Normal 750um wafer)

    设备配置 :

    全面支持SECS/GEM通讯协议;

    自动化、智能化镍,钯,金槽在线分析添加系统;

    自动配液,补液,换酸;

    温度,流量,浓度,压力,可控可调;

    支持模块化维护,提高设备正常运行时间;

    软件具备倒车功能,槽位可以任意选择组合;

    设备工艺槽具有特殊的流场分布设计,有效改善镀层均匀性;

    设备自动化操作,干进干出;

    可提供设备与药水、工艺整体解决方案。


    膜层厚度:
    Ni/3±0.3um   Pd/0.3±0.03um   Au/0.05±0.005um

    工艺指标:
    WIW:U%<10%
    WTW:U%<10%
  • 电镀设备
    WET-水平电镀设备(GMC-ECP300/200/150)
    应用领域:
    先进封装TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump、大马士革电镀等工艺

    晶圆尺寸:
    100-300mm(片度:200um-750um)

    设备配置:

    全面支持SECS/GEM通讯协议;

    电镀:Cu、Ni、Sn/Ag、Au;

    支持3个loadport;

    支持扩展16个电镀腔体;

    支持扩展4个预湿腔体,4个清洗腔体;

    特殊的消泡机构,消除镀液气泡;

    系统配备双System controller,无宕机风险;

    支持电镀腔内搅拌功能,频率可调;

    配备进口高精度直流脉冲电源;

    支持模块化维护,提高设备正常运行时间;

    阴阳极分离技术,更佳镀液稳定性。


    工艺指标:
    电镀均一性:
    WiWNU≤3%;
    WtWNU≤3%;
    WET-全自动电镀设备(GMC-ECP510)
    应用领域:
    TSV、TGV、Pilar、RDL、Bump等工艺

    产品尺寸:
    晶圆 2寸-12寸/高密度基板 2寸-20寸

    设备配置:

    全面支持SECS/GEM通讯协议;

    电镀:Cu、Ni、Sn/Ag、Au;

    可支持单双面电镀,也可以同时多片电镀;

    支持模块化维护,提高设备正常运行时间;

    温度,流量,浓度,压力,可控可调;

    可以为各科研单位定制研发类定制机台;

    可选多loadport,根据产能配备;

    可提供设备与药水、工艺整体解决方案;

    设备自动化操作,干进干出。

    工艺指标:

    电镀均一性:WiW≤8%;
    WtW≤8%

  • 单片清洗设备
    单片清洗设备 GMC-12SC
    设备特点:

    叠堆设计最高可配置12个腔室

    上下层传送系统提供多达350wph的吞吐量

    可配置可正背面清洗,药液种类多达5种,可回收2种药液

    腔体可配备二流体雾化喷嘴

    腔室可将化学飞溅降至最低,确保腔体清洁晶圆加工环境

    腔体超洁净空气动态平衡均一性好


    单片刷片清洗设备 GMC-12BSC
    应用领域:
    半导体行业,前道工艺制成(IC集成电路)、后道先进封装,衬底材料(硅片、碳化硅、氮化镓等化合物)。

    晶圆尺寸:300mm

    设备配置:

    先进运输系统和专有算法的开发Throughput:400WPH;

    配有氮气雾化二流体清洗 ;

    采用防静电管路,可调CO2 Generator电阻率;

    配有定制的软刷清洗扫描到边缘刷洗;

    晶圆翻转功能可进行背面与正面清洗;

    配置8套刷片清洗腔体,2套翻转机构。

    晶圆再生片单片清洗设备 GMC-12RSC
    设备特点:

    可适用于8寸或12寸晶圆清洗

    配有可设置温度氮气干燥

    多种药液高精度流量控制,温度控制

    可进行药液回收,增加药液利用率

    最多可配置8套清洗腔体

    可配置多种药液氢氟酸,臭氧水等


    WET-单片去胶清洗设备(GMC-PRSC/GMC-SWE)
    应用领域:
    半导体行业,前道工艺制成(IC集成电路)、后道先进封 装,衬底材料(硅片、碳化硅、氮化镓等化合物)。

    晶圆尺寸:
    150mm-300mm

    设备配置:

    配有槽式浸泡和单片旋转喷淋结合,提高生产效率,降低生产成本;

    高压或二流体喷淋可彻底除去光刻胶;

    配去胶液回收、循环过滤再使用,降低用户成本,贵重金属回收;

    基片干进湿传干出,机械手下方湿出浸泡槽,有漏液盘;

    可针对药液循环过滤、起泡、残渣等定制设计,解决工艺制程问题;

    可客制相应配置,混酸及供酸设备,支持多样化制程


  • WET-全自动RCA清洗设备
    WET-全自动RCA清洗设备(GMC-C300,GMC-E300,GMC-D300,GMC-F300)
    应用领域:
    半导体行业,前道工艺制成(IC集成电路)、后道先进封 装,衬底材料(硅片、碳化硅、氮化镓等化合物),还适用于玻璃基板、陶瓷板等领域。

    应用方式:
    Cassette-type & Cassetteless-type

    晶圆尺寸:
    100mm-300mm

    设备配置:

    全面支持SECS/GEM通讯协议;

    设备自动化操作,干进干出(Marangoni dry 或 spin dry;)

    配备自动消防安全系统;

    自动配液,补液,换酸;

    温度,流量,浓度,压力,可控可调;

    可选多loadport,根据产能配备;

    全工艺段监控及传感器安全互锁;

    全程在线技术支持。


    主要品牌:
    主要parts选用国外一线品牌(Rochling、KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON)
  • WET-全自动湿法去胶设备(有机去胶)
    WET-全自动湿法去胶设备(GMC-S300A、GMC-S300B、GMC-S300C、GMC-S300D)
    应用领域:
    半导体行业,前道工艺制成(IC集成电路)、后道先进封装,衬底材料(硅片、碳化硅、氮化镓等化合物),还适用于玻璃基板等领域。

    应用方式:
    Cassette-type & Cassetteless-type

    晶圆尺寸:
    100mm-300mm

    设备配置:

    全面支持SECS/GEM通讯协议;

    设备自动化操作,干进干出(Marangoni dry 或spin dry;)

    配备自动消防安全系统;

    自动配液,补液,换酸;

    温度,流量,浓度,压力,可控可调;

    可选多loadport,根据产能配备;

    全工艺段监控及传感器安全互锁;

    全程在线技术支持。


    主要品牌:
    主要parts选用国外一线品牌(KAIJO、IWAKI/Pillar、Entegris、CKD/SEBA、SIEMENS/OMRON)

  • ASHER干法去胶机
    干法去胶机 Mattson Aspen II ICP
    设备特点:

    Mattson原厂授权生产新机

    宽温度范围(100°C to 250°C)

    单片机控制的双晶圆片加工,工艺均匀性好

    真空负载锁隔离工艺室,以减少缺陷

    同时处理多晶圆片的高速机器人-高通量(> 130 wph)

    在小于200mm的带材产品中,具有最高吞吐量/平方占地面积的小占地面积

    与微波源带材产品相比,耗材成本更低

    VTM传输,更好的保证设备particle要求

    单腔或双腔工艺选择,单腔可同时工艺两片

    可支持4至8英寸晶圆


    技术参数:

    strip rate:  >5.6um/min

    uniformity within wafer(descum): <5%

    uniformity within wafer(strip): <5%

    uniformity wafer to wafer(strip):  <5%

    uniformity run to run(strip):  <5%

    uptime:  >90%

    1min process time(WPH):  160

    particle(>0.3um):  <50ea

  • CLEAN TRACK涂胶显影机
    GMC 涂胶显影机 LT150(Ⅰ)-2C2D
    设备特点:

    适用于4至8英寸硅基或化合物的匀胶显影工艺

    最大设备配置:4套匀胶/显影、10套热(冷)板单元,1套HMDS单元

    根据客户工艺需求可加装涂胶温湿度控制

    可兼容4+6寸或6+8寸晶圆尺寸

    整机适合产能要求较高的批量产线

    可选配MES协议转换模块

     
    技术参数:

    旋转速度范围: 20-5000rpm

    加速度范围: 20-20000rpm/s

    转速精度: 土1rpm

    热盘温度范围: 50°C-260°C

    热盘温度均匀性: 士1%或更高

    冷盘温度范围: 20°C-25°C

    冷盘温度均匀性: 土0.2C

    光刻胶粘度: 0-1000Cp(可选高粘度)

    胶泵类型: 气动或电动胶泵

    光刻胶或显影液管路: <=3路

    流量监控: 浮子式流量计(可选配超声流量计)


  • 供液系统
    Slurry Local Supply Syetem 研磨液本地供应系统
    配置说明

    原液单元: Drum200L*2ea(兼容20L)

    混液单元:60/80/100/110L规格数量可选(特殊规格可定制)

    供应模式:磁浮泵变频控制

    供应流量:≥15LPM(超出请咨询)

    供应点位:≦5个供应点位

    Tank 360°自动旋转清洗功能

    Tank N2保湿功能,湿度≥95%

    可调节定容式H2O2加料功能,浓度范围0.3%-5%(±0.005%)

    H2O2浓度滴定功能(选配)

    Slurry Central Supply Syetem 研磨液中央供应系统
    配置说明

    原液单元: Drum200L*2/4/8ea(数量选配)

    混液单元:250L/500L规格数量可选(特殊规格可定制)

    供应模式:磁浮泵变频控制

    供应流量:≥30LPM(可定制化设计)

    供应点位:≦20个供应点位(超出请咨询)

    Slurry品质检测功能(密度/PH/电导率)

    可选Slurry颗粒及粒径检测功能(LPC/MPS)

    H2O2浓度滴定功能

    H2O2浓度在线监控功能

    Supply PCW温控功能(Supply Main LOOP 24±2°C)

    Tank 360°自动旋转清洗功能

    Tank N2保湿功能,湿度≥95%

    可调节定容式H2O2加料功能,浓度范围0.3%-5%(±0.005%)

    Slurry H2O2浓度品在线检测功能(选配)

    CDS化学品供应系统
    配置说明

    适用化学品有酸性,碱性,氧化性,有机溶剂,腐蚀性有机溶剂等等。

    根据生产线规模的需求,有以下供应方式可以选择:

    Lorry供液系统:一般用于化学品日用量非常大的系统(如半导体用的H2SO4/NH4OH/ H2SO4/TMAH/EBR)。

    SUPPLY TANK供应系统:由CDM设备内配置的200L双Drum自动切换补液至Supply tank,再由Supply Tank供液至VMB;此系统一般应用在化学品日用量较大(日用量200L—1000L)的系统上。

    N2氮压供应系统:由CDM设备内配置的200L双Drum自动切换补液至氮压 tank,再由氮压 Tank供液至VMB;此系统一般应用在化学品日用量较大(日用量200L—1000L),并且化学品比重粘度较大(如H2SO4/H3PO4)的系统上。

    DRUM直供系统:一般应用在化学品日用量较小(日用量小于200L)的系统上。

    混液稀释系统:一般用于需要多种化学品按比例混合或者浓度高的原液化学品需经过稀释后再供应到工艺设备(如半导体用的 HF100:1, TMAH2.38%, SC-1系统)。

    独立的PLC以及独立的人机界面控制,可通过网络连接至上位机监控系统;BIM空管概念贯穿整个设计和施工过程。


    LDS液态源供液系统
    配置说明

    适用Thin film、Diff主设备供液需求

    LCSS、TCSS、BCSS多种机型,可选配VMB,根据客户需求做定制化设计

    设备具有EMO和电闸漏电保护,系统设计符合SEMI S2认证

    配备degasser除氦气装置

    设备使用文丘里装置,不需要额外增加pump,节省成本

    机台自带加热带,用于配合文丘里装置purge管路

    机台同时具备称重和液位检测

    增加了PN2管路,用PN2代替氦气,用于purge,节省了大量成本

  • LOCAL SCRUBBER尾气处理
    等离子水洗单腔/双腔
    应用领域:

    适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体。

    PFCs气体:CF4, SF6, NF3 等

    腐蚀性气体:Cl2, F2, BCl3, HBr 等

    可燃性气体:SiH4, TEOS, DCS, H2 等

    使用制程:

    Dry etch/Thin Film/Implant

    优点:

    等离子火炬可释放超过3000℃的高温,更高效的处理易燃气体、有毒气体和 PFCs气体。

    尤其是对PFCs气体的处理能力。

    经过特殊设计的水淋系统,水溶性废气处理时并且不产生水雾。

    燃烧水洗单腔/双腔
    应用领域:

    适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体。

    PFCs气体:CF4, SF6, NF3 等

    腐蚀性气体:Cl2, F2, BCl3, HBr 等

    可燃性气体:SiH4, TEOS, DCS, H2 等

    使用制程:

    Dry etch/Thin Film/Implant

    优点:

    装维护便捷,PM时间短。

    尾气入口管可为KF50,避免粉尘附着,延长PM周期。

    独特的内部结构设计,经济C.O.O与C.O.C,使用成本低。

    可选节水型号,水循环使用,拥有极低的耗水量。

    在各种制成上采用高效的高温燃烧器,可有效选择高低功率,降低运行费用。

    干式化学吸附产品
    应用领域:

    用吸附剂和吸附介质处理半导体或化合物制程气体

    注入气体(AsH3, PH3, BF3 等)

    腐蚀性气体(F2, Cl2, BCl3, HBr 等)

    使用制程:

    Dry etch/Implant/MOCVD(AsH3)/PLD(SiC)

    原理:

    通过G-FLYING CLEANSORB的化学吸附颗粒进行气体处理。

    吸收塔内装置的基本成分为G-FLYING CLEANSORB化学吸附颗粒。

    吸附过程通过化学转换(化学吸附)方式形成稳定盐分分离有害的工艺气体(反应在室温下进行),过程中无需外部加热、加湿或其它功能设施。

    气体和吸收剂的化学吸收反应是不可逆的,确保危险气体保持固体形态。


  • chiller
    GT-C3060
    产品特点:
    1、高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。
    2、稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。
    3、操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。

    产品能力范围:
    1、温度范围:-20°C--+90°C
    2、控温精度: ±0.01℃~±0.1℃
    3、制冷功率:3KW--10KW
    4、适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备

    GT-C2020
    产品特点:
    1、高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。
    2、稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。
    3、操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。

    产品能力范围:
    1、温度范围:-20°C--+90°C
    2、控温精度: ±0.01℃~±0.1℃
    3、制冷功率:3KW--10KW
    4、适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备
    GT-20GS
    产品特点:
    1、高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。
    2、稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。
    3、操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。

    产品能力范围:
    1、温度范围:-20°C--+90°C
    2、控温精度: ±0.01℃~±0.1℃
    3、制冷功率:3KW--10KW
    4、适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备
    GT-C20KW
    产品特点:
    1、高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。
    2、稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。
    3、操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。

    产品能力范围:
    1、温度范围:-20°C--+90°C
    2、控温精度: ±0.01℃~±0.1℃
    3、制冷功率:3KW--10KW
    4、适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备
  • Heat Exchanger
    GT-R60D
    产品特点:

    高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。

    稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。

    操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。


    产品能力范围:

    温度范围:-70℃~250℃

    控温精度: ±0.01℃~±0.1℃

    制冷功率:200W~200kW

    适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备


    GT-S40KD
    产品特点:

    高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。

    稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。

    操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。


    产品能力范围:

    温度范围:-70℃~250℃

    控温精度: ±0.01℃~±0.1℃

    制冷功率:200W~200kW

    适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备


    GT-S30KD4
    产品特点:

    高效节能:采用先进的结构设计及控制技术,可以大大降低能耗,节约运营成本。

    稳定可靠:采用优质的材料和零部件,经过严格的测试和检验,可以长时间稳定运行,保证生产效率和质量。

    操作简便:采用智能控制系统,操作简便,可以根据需要自动调节温度和制冷量,操作方便快捷。


    产品能力范围:

    温度范围:-70℃~250℃

    控温精度: ±0.01℃~±0.1℃

    制冷功率:200W~200kW

    适用范围:Etch、Thin Film、离子注入等各种半导体设备