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干法去胶机 Mattson Aspen II ICP
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    设备特点:

    Mattson原厂授权生产新机

    宽温度范围(100°C to 250°C)

    单片机控制的双晶圆片加工,工艺均匀性好

    真空负载锁隔离工艺室,以减少缺陷

    同时处理多晶圆片的高速机器人-高通量(> 130 wph)

    在小于200mm的带材产品中,具有最高吞吐量/平方占地面积的小占地面积

    与微波源带材产品相比,耗材成本更低

    VTM传输,更好的保证设备particle要求

    单腔或双腔工艺选择,单腔可同时工艺两片

    可支持4至8英寸晶圆


    技术参数:

    strip rate:  >5.6um/min

    uniformity within wafer(descum): <5%

    uniformity within wafer(strip): <5%

    uniformity wafer to wafer(strip):  <5%

    uniformity run to run(strip):  <5%

    uptime:  >90%

    1min process time(WPH):  160

    particle(>0.3um):  <50ea

     

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