用吸附剂和吸附介质处理半导体或化合物制程气体
注入气体(AsH3, PH3, BF3 等)
腐蚀性气体(F2, Cl2, BCl3, HBr 等)
使用制程：Dry etch/Implant/MOCVD(AsH3)/PLD(SiC)
原理：通过G-FLYING CLEANSORB的化学吸附颗粒进行气体处理。
吸收塔内装置的基本成分为G-FLYING CLEANSORB化学吸附颗粒。
吸附过程通过化学转换(化学吸附)方式形成稳定盐分分离有害的工艺气体(反应在室温下进行)，过程中无需外部加热、加湿或其它功能设施。
气体和吸收剂的化学吸收反应是不可逆的,确保危险气体保持固体形态。
