适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体
PFCs气体：CF4, SF6, NF3 等
腐蚀性气体：Cl2, F2, BCl3, HBr 等
可燃性气体：SiH4, TEOS, DCS, H2 等
使用制程：Dry etch/Thin Film/Implant
优点：装维护便捷,PM时间短
尾气入口管可为KF50,避免粉尘附着，延长PM周期
独特的内部结构设计，经济C.O.O与C.O.C，使用成本低
可选节水型号,水循环使用，拥有极低的耗水量
在各种制成上采用高效的高温燃烧器，可有效选择高低功率，降低运行费用
