适用高温等离子处理半导体或化合物制程气体

PFCs气体：CF4, SF6, NF3 等

腐蚀性气体：Cl2, F2, BCl3, HBr 等

可燃性气体：SiH4, TEOS, DCS, H2 等

Dry etch/Thin Film/Implant

等离子火炬可释放超过3000℃的高温，更高效的处理易燃气体、有毒气体和 PFCs气体

尤其是对PFCs气体的处理能力

经过特殊设计的水淋系统，水溶性废气处理时并且不产生水雾