产品配置
应用领域：
先进封装TSV、Pillar、RDL、Bump、大马士革电镀等工艺
晶圆尺寸：
100mm-300mm（片厚：300um-1000um)
工艺流程：
Loadport - Robot /Aligner - APT - Cu - SRD - Ni - SRD - Sn/Ag - SRD - Au - SRD - Loadport
设备配置：

系统搭载SECS GEM通讯，干进干出，全自动化作业

菜单式智能排程，实现生产流程高效调度

模块化兼容设计，全面适配 6-12Inch 晶圆

独有多物理场精准控制技术

单腔独立维护，换型≤2 小时，支持多工艺快速切换

电镀液循环回收系统，回收率≥95%

片内 / 片间电镀厚度均匀性均≤3%，工艺精度优异

关键部件采用特种合金，缩短维护周期，降低运营成本

工艺参数

Within Wafer：U%	＜5%
Wafer to Wafer：U%	＜5%
Run to Run：U%	＜5%
Within Die ：U%	＜5%
Wafer broken rate	≤1/10000