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WET-全自动化学镍钯金设备(GMC-ENEPIG-300)
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    产品配置
    应用领域:
    IGBT/FRD/MOS/SBD等晶圆正背面金属化晶圆级先进封装UBM金属化
    晶圆尺寸:
    100-300mm(50~150um Taiko wafer , Normal 750um wafer)
    工艺流程:

    Al pad:Passivation Clean -QDR-Alu Clean-QDR-1st Zincate-QDR-HNO3-QDR-2nd Zincate-QDR-Ni1-Ni2-QDR-Pd1-Pd2-QDR-Au1-Au2-QDR-Dehydration/lPA-Dryer-Auto Loading/Unloading

    Cu pad:Passivation Clean -QDR-Cu Clean-QDR-Cu Activate-QDR-Ni1-Ni2-QDR-Pd1-Pd2-QDR-Au1-Au2-QDR-Dehydration/lPA-Dryer-Auto Loading/Unloading
    设备配置:

    系统搭载SECS GEM通讯,干进干出,无人化作业

    软件自主研发,持续迭代,终身免费升级

    适用基材:AL/CU

    12 Inch Taiko Wafer(厚度≥50μm)、6/8 Inch Wafer SiC衬底量产验证,累计稳定运行5年以上,满足高端半导体规模化生产要求

    定制化流场设计,可完美适配UBM、打线区等高端镀层场景

    菜单式智能排程,实现生产流程高效调度

    Wafer内均均匀性U%<8% ,片间均匀性U%<8%

    工艺参数
    Within Wafer:U% <10%
    Wafer to Wafer:U% <10%
    Wafer broken rate ≤1/10000


     
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