应用领域：
IGBT/FRD/MOS/SBD等晶圆正背面金属化晶圆级先进封装UBM金属化

晶圆尺寸：
100-300mm(50~150um Taiko wafer , Normal 750um wafer)

设备配置 ：

全面支持SECS/GEM通讯协议;

自动化、智能化镍，钯，金槽在线分析添加系统;

自动配液，补液，换酸;

温度，流量，浓度，压力，可控可调;

支持模块化维护，提高设备正常运行时间；

软件具备倒车功能，槽位可以任意选择组合；

设备工艺槽具有特殊的流场分布设计，有效改善镀层均匀性；

设备自动化操作，干进干出；

可提供设备与药水、工艺整体解决方案。

膜层厚度：
Ni/3±0.3um   Pd/0.3±0.03um   Au/0.05±0.005um

工艺指标：
WIW:U%<10%
WTW:U%<10%