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单片刻蚀设备(GMC-SEC300)
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    产品配置
    应用领域:
    可应用于多种前端工艺(FEOL)和后端工艺(BEOL),也可应用于晶圆制造、MEMS制造,以及功率器件制造领域
    晶圆尺寸:
    100mm-300mm
    工艺配置:
    SPM清洗、RCA清洗、背面腐蚀、Cu/Ti刻蚀、AL刻蚀等
    设备配置:

    兼容 Loadport/SMIF/Open cassette,全自动化工艺适配

    定制化化学药液配置,高效去除晶圆表面颗粒、有机物及金属离子

    化学温度 / 流流 / 浓度精准调控,保障工艺稳定性

    多腔体布局,适配多样化工艺流程

    全面支持 SECS/GEM 通讯协议,无缝对接产线

    Particle Size@ 0.09μm≤20ea,Metal Contamination(Fe,Cr,Cu,Ti, Ni, Ta, etc. )≤1E10 atoms/cm2

    Etch U%≤3%

    工艺参数
    颗粒物大小/Particle Size@ 0.16μm ≤20ea
    金属污染/Metal Contamination(Fe,Cr,Cu,Ti, Ni, Ta, etc. ) ≤1E10atoms/cm2
    Etch U% ≤3%
     
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