产品配置
应用领域：
应用于先进封装TSV、Pillar、RDL、Bump、大马士革电镀等工艺
晶圆尺寸：
100mm-300mm（片厚：300um-1000um)
工艺流程：
Loadport - Robot /Aligner - APT - Cu - QDR - Ni - QDR - Sn/Ag - QDR - Au - QDR - Pd - QDR - Rh - QDR - Loadport
设备配置：

金属镀层：Cu 、Ni 、Sn/Ag 、Au 、Pd 、Rh

全面适配 4-12 Inch 晶圆

系统搭载 SECS GEM 通讯，干进干出，全自动化作业

支持定制化开发，适配多元需求

兼容单 / 双面电镀，支持多片同时电镀

镀腔带可调频摇摆功能，保障电镀均匀性

模块化维护设计，大幅提升设备稼动率

系统配备双 System Controller，实现无宕机稳定运行

工艺参数

Within Wafer：U%	＜5%
Wafer to Wafer：U%	＜5%
Run to Run：U%	＜5%
Within Die：U%	＜5%
Wafer broken rate	≤1/10000